Главная страница Продукция Субстраты одиночного Кристл

Замененные субстраты GGG SGGG EPI 1SP одиночного Кристл

Все продукты

Магнитооптические кристаллы (21)

Субстраты одиночного Кристл (19)

Кристаллы пьезоэлектрического влияния (32)

Амортизатор Фарадея (18)

Кристаллы Ссинтилатион (14)

Кристаллы лазера (10)

Переключатель клетки к Покельс (10)

Другие одиночные кристаллы (5)

ТГГ Кристл (5)

Кристалл ТСАГ (4)

GGG Кристл (11)

Вафля LaAlO3 (9)

Кристаллы переключателя q (11)

Самые лучшие продукты

Алюминат магния МгАл2О4

7,09 Г/Км3 ЭПИ отполировало 10кс10кс0.5мм ГСГГ одиночное Кристл

Вафля субстратов YIG SGGG

Китай ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. Сертификаты

Быстрые выглядеть доставки и качества хорошие, испытают скоро. Спасибо!

—— Джхон Клус

Стабилизированный поставщик нас, очень профессиональная команда.

—— Клайн

Крыстро долгосрочный поставщик нас, мы счастливы к коопертате с поставщиком с хорошей емкостью и хорошее качество, качество очень важно для нас.

—— Джармила

Оставьте нам сообщение

Замененные субстраты GGG SGGG EPI 1SP одиночного Кристл

Большие изображения : Замененные субстраты GGG SGGG EPI 1SP одиночного Кристл

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	КИТАЙ
Фирменное наименование:	Crystro
Сертификация:	SGS/ROHS
Номер модели:	CR210127-02

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	1pc
Упаковывая детали:	Прозрачная чистая коробка
Время доставки:	4-5векс
Условия оплаты:	Т/Т, западное соединение, МонейГрам, ПайПал
Поставка способности:	5000pcs в месяц

контакт

Подробное описание продукта

Материал:	Замененные субстраты GGG (SGGG) EPI 1sp одиночного Кристл	Диаметр:	3inch, 4inch
Ориентация:	(100), (111)	Решетка постоянн:	12.497A
Плотность:	7.09г/км3	Место происхождения:	Аньхой, Китай
Гарантия::	1 год	Послепродажное обслуживание:	Видео- служба технической поддержки, онлайн поддержка
Высокий свет:	субстраты 1sp одиночного Кристл , Субстраты EPI одиночного Кристл , Замененные субстраты GGG

Замененные субстраты GGG (SGGG) EPI 1sp одиночного Кристл

Кристалл SGGG одиночный, (заменил венису галлия гадолиния) растется методом Czochralski.

Кристаллы SGGG с кальцием, магнием и цирконием как заменять ионы, которые использованы как субстраты для роста висмут-замененных эпитаксиальных пленок венисы утюга, который хороший материал для YIG, и БОЛЬШИМ flim.

Замененная вениса галлия гадолиния (SGGG) использована как субстраты для жидкостной эпитаксии. Параметр решетки наших кристаллов хорошо проконтролирован и поверхностная польская отделка самого высококачественного, позволяющ идеальной эпитаксии.

SGGG использовано как субстраты для жидкостной эпитаксии. Оно предназначил субстраты для магнитооптического фильма.

Аньхой Crystro участвует в выставках видов каждый год: Мир лазера Photonics Мюнхена, Шанхая, запада Photonics в Сан-Франциско, CIOE в Шэньчжэне, etc.

Свойства Кристл
Метод выращивания кристаллов	Czochralski
Ориентация выращивания кристаллов	(100), (111)
Максимальный размер	диаметр 3 дюймов
Изменения	Dopands по запросу
Кристаллографические свойства
Кристаллографическая структура	Кубический
	= 12,383 Å
	= 12,505 Å SGGG
Минералогический	Вениса
Структура дублировать	Идеальный
Цвет	Бесцветное/коричневатое SGGG
Физические свойства
Плотность	7,09 g/cm3
Точка плавления	°C 1730
Твердость	7,5 (Mohs)
Диэлектрическая константа	30
Тангенс диэлектрической потери (10 GHz)	CA. 3,0 * 10_4
Оптически свойства
Дальность передачи	0,3 до 7,0 mm
Индекс рефракции:	nd = 1,9708 на 577 nm

Сравните GGG с SGGG:

Материал	GGG	SGGG
Химический Formular	Gd3Ga5O12	Замененное GGG
Константа решетки	12.383A	12.497A
Метод роста	Czochralski	Czochralski
Плотность	7.13g/cm3	7.09g/cm3
Твердость Mohs	8	7,5
Точка плавления	1725℃	1730℃
R.I.	1,954 на 1064nm	1,954 на 1064nm

Замененные субстраты GGG SGGG EPI 1SP одиночного Кристл 0

тег:

Контактное лицо: roy_luo

Телефон: +8613335516062

Другие продукты

Направление угла влияния LGS Кристл Dia 50mm пьезоэлектрическое одиночное материальное изготовленное на заказ

Тип: Квартиры/Squre

Диаметр: 50mm /40x40mm..

Толщина: 0.2mm /0.5mm..

Направление угла: Подгонянный

Кристаллы пьезоэлектрического влияния ниобата лития прибора LiNbO3 EO

Материал: Кристаллы ниобата LINBO3 лития Кристл прибора EO

Температура плавления: 1253℃

Плотность: 4.64g/cm3

Ряд прозрачности: 420-5200nm

Полировать: двойная отполированная сторона

Диаметр: по мере того как вы требовали

Толщина: по мере того как вы требовали

Поверхностный финиш: < 10A="">

Потеря польских Ggg Gd3ga5o12 одиночного Кристл субстратов Epi низкая оптически

Деталь: Субстраты EPI польские GGG одиночного Кристл

Ориентация: (111)

Решетка постоянн: 12.497A

Плотность: 7.09г/км3

Вафля венисы гадолиния галлия высокой решетки постоянн 12.497A Gd3Ga5O12 GGG

Материал: Высокая решетка постоянн 12.497A заменила вафлю GGG

Ориентация: (111) ±0.2°

Решетка постоянн: 12.497A

Послепродажное обслуживание: Видео- служба технической поддержки, онлайн поддержка