4-дюймовый крупногабаритный субстрат SGGG, монокристалл гадолиний-галлиевого граната, полированный до степени EPI по плоскости (111), для фарадеевых вращателей в оптических модулях 1.6T/CPO, эпитаксия высокоемких магнитооптических пленок
4-дюймовый крупногабаритный субстрат SGGG, монокристалл гадолиний-галлиевого граната, полированный до степени EPI по плоскости (111), для фарадеевых вращателей в оптических модулях 1.6T/CPO, эпитаксия высокоемких магнитооптических пленок
4-дюймовый SGGG большой подложки является высококачественной спецификацией для высокоскоростной оптической связи следующего поколения (1.6T / CPO) и крупномасштабных производственных линий.6 мм и стандартная толщина 800 ± 30 мкм (или по заказу), он основан на технологии роста однокристаллических больших размеров. постоянная однородность решетки полного вафры ≤ 0,003 Å, плотность дислокации ≤ 10 см−2 и эффективная площадь ≥ 80%.Выпуск чипа ротатора на вафлю увеличивается примерно на 75% по сравнению с 3-дюймовым, значительно снижая стоимость за чип.
Рост кристаллов SGGG больших размеров технически требует строгого контроля теплового поля, чистоты сырья и процессов отжига.С помощью оптимизированного роста Czochralski и многоэтапного отжигаВ сочетании с первичными/вторичными плоскостями и сверхгладкой полировкой уровня EPI,Он отвечает требованиям крупномасштабного серийного производства высококачественного магнитооптического пленочного эпитаксического оборудования..
Ключевые функции
Субстрат высокой емкости для эпохи 1.6T/CPO:
4-дюймовый большой размер адаптируется к следующему поколению высокоскоростного модуля ротатора массового производства, больше микросхем на пластину
Более низкая стоимость за чип:
~75% большая эффективная площадь, чем 3 дюйма, разбавляет затраты на эпитаксию, разрезание и инспекцию
4-дюймовый крупногабаритный субстрат SGGG, монокристалл гадолиний-галлиевого граната, полированный до степени EPI по плоскости (111), для фарадеевых вращателей в оптических модулях 1.6T/CPO, эпитаксия высокоемких магнитооптических пленок
4-дюймовый крупногабаритный субстрат SGGG, монокристалл гадолиний-галлиевого граната, полированный до степени EPI по плоскости (111), для фарадеевых вращателей в оптических модулях 1.6T/CPO, эпитаксия высокоемких магнитооптических пленок
4-дюймовый SGGG большой подложки является высококачественной спецификацией для высокоскоростной оптической связи следующего поколения (1.6T / CPO) и крупномасштабных производственных линий.6 мм и стандартная толщина 800 ± 30 мкм (или по заказу), он основан на технологии роста однокристаллических больших размеров. постоянная однородность решетки полного вафры ≤ 0,003 Å, плотность дислокации ≤ 10 см−2 и эффективная площадь ≥ 80%.Выпуск чипа ротатора на вафлю увеличивается примерно на 75% по сравнению с 3-дюймовым, значительно снижая стоимость за чип.
Рост кристаллов SGGG больших размеров технически требует строгого контроля теплового поля, чистоты сырья и процессов отжига.С помощью оптимизированного роста Czochralski и многоэтапного отжигаВ сочетании с первичными/вторичными плоскостями и сверхгладкой полировкой уровня EPI,Он отвечает требованиям крупномасштабного серийного производства высококачественного магнитооптического пленочного эпитаксического оборудования..
Ключевые функции
Субстрат высокой емкости для эпохи 1.6T/CPO:
4-дюймовый большой размер адаптируется к следующему поколению высокоскоростного модуля ротатора массового производства, больше микросхем на пластину
Более низкая стоимость за чип:
~75% большая эффективная площадь, чем 3 дюйма, разбавляет затраты на эпитаксию, разрезание и инспекцию