|
Подробная информация о продукте:
Оплата и доставка Условия:
|
| Материал: | GSGG | Польский: | EPI отполировало |
|---|---|---|---|
| Шероховатость поверхности: | < 10A="" by="" AFM="" 5x5="" microm="" area=""> | Метод выращивания кристаллов: | Czochralski |
| ориентация: | (100), (111) +/-0.5° | Допуск диаметра: | ±0.05mm |
| Допуск длины: | ±0.2mm | Размер: | Подгонянный |
| Высокий свет: | GSGG одиночное Кристл,Вениса галлия Subsituted гадолиния,10x10x0.5mm одиночное Кристл |
||
7,09 G/Cm3 EPI отполировало 10x10x0.5mm GSGG одиночное Кристл
Кристаллическая SGGG одиночная, замененная вениса галлия гадолиния растется методом Czochralski.
Венисы GGG/SGGG/NGG использованы для жидкостных subatrates epitaxy.SGGG предназначенные субстраты для магнитооптического фильма. В приборах оптической связи, требуйте много используя 1.3u и 1.5u оптически амортизатор, компонент ядра YIG или БОЛЬШОЙ фильм помещенный в магнитном поле.
Субстрат SGGG превосходен для расти висмут-замененные эпитаксиальные пленки венисы утюга, хороший материал для YIG, BiYIG, GdBIG.
Хорошие физические и механические свойства и химическая стойкость.
Применение:
YIG, БОЛЬШОЙ фильм эпитаксии;
Приборы микроволны;
Замена GGG
Свойства:
| Состав | (Gd2.6Ca0.4) (Ga4.1Mg0.25Zr0.65) O12 |
| Кристаллическая структура | Кубический: =12.480 Å, |
| Молекулярное wDielectric constanteight | 968 096 |
| Расплавьте пункт | ~1730 oC |
| Плотность | | 7,09 g/cm3 |
| Твердость | | 7,5 (mohns) |
| R.I. | 1,95 |
| Диэлектрическая константа | 30 |
| Тангенс диэлектрической потери (10 GHz) | CA. 3,0 * 10_4 |
| Метод выращивания кристаллов | Czochralski |
| Направление выращивания кристаллов | <111> |
Поставка GGG CRYSTRO кристаллическая с:
| Ориентация | <111> <100> в пределах минуты дуги ±15 |
| Искажение фронта волны | <1> |
| Допуск диаметра | ±0.05mm |
| Допуск длины | ±0.2mm |
| Скосите | º 0.10mm@45 |
| Плоскостность | <1> |
| Параллелизм | < 30="" arc="" Seconds=""> |
| Perpendicularity | < 15="" arc="" min=""> |
| Качество поверхности | 10/5 царапина/раскопок |
| Ясное Apereture | >90% |
| Большие размеры кристаллов | 2.8-76 mm в диаметре |
Контактное лицо: Ms. Wu
Телефон: 86-18405657612
Факс: 86-0551-63840588
