Подробная информация о продукции

Домой продукты

DIA 4 Inch SGGG Wafer YIG Film Substrates

DIA 4 Inch SGGG Wafer YIG Film Substrates

Наименование марки:	Crystro
Номер модели:	CR251027-01
МОК:	5 шт
Время доставки:	4-5 недели
Условия оплаты:	T/T, Western Union, Moneygram, PayPal

Подробная информация

Описание продукта

Подробная информация

Место происхождения:

КИТАЙ

Сертификация:

SGS/ROHS/REACH

Материал:

Плоскостность:

DIA 4-дюймовые подложки для пленок SGGG Wafer YIG

Ориентация выращивания кристаллов:

(100), (111)

Максимальный размер:

4 дюйма в диаметре

Допуск диаметра:

± 0,05 мм

Допуск длины:

± 0,2 мм

Толщина:

0,63 мм, 0,5 мм, 1,4 мм

Упаковывая детали:

Прозрачная чистая коробка

Поставка способности:

1000 шт в месяц

Выделить:

4 inch SGGG wafer substrates

YIG film single crystal substrates

SGGG wafer YIG film substrates

Описание продукта

DIA 4 Inch SGGG Wafer YIG Film Substrates

SGGG single crystal, e.g. substituted gadolinium gallium garnet is grown by Czochralski method .

SGGG crystals with calcium, magnesium and zirconium as substituting ions, which are used as the substrates for the growth of bismuth-substituted iron garnet epitaxial films, which is good material for YIG,and BIG flim 

Our Company:

Crystro has perfect automatic production machine, the current products are mainly concentrated in the YAG, TGG, TSAG,GGG ,LGS,Ce:GAGG ,Ce:YAG and Ce: LuYAG crystals.

We also established a crystal research center and developed different kinds of crystals. Keep providing technical support and training for new applications and product development staffs.

Crystal properties
Crystal growth method	Czochralski
Crystal growth orientation	(100), (111)
Maximum size	4 inch diameter
Variations	Dopands on request
Crystallographic properties
Crystallographic structure	Cubic

	a = 12.505 Å SGGG
Mineralogical	Garnet
Twinning structure	Perfect
Colour	Colourless / Brownish SGGG
Physical properties
Density	7.09 g/cm3
Melting point	1730 °C
Hardness	7.5 (Mohs)
Dielectric constant	30
Dielectric loss tangent (10 GHz)	ca. 3.0 * 10_4
Optical properties
Transmission range	0.3 to 7.0 mm
Refraction index:	nd = 1.9708 at 577 nm

CRYSTRO supply GGG crystal with:

Orientation	<111> <100> within ±15 arc min
Wave Front Distortion	<1/4 wave@632
Diameter Tolerance	±0.05mm
Length Tolerance	±0.2mm
Chamfer	0.10mm@45º
Flatness	<1/10 wave at 633nm
Parallelism	< 30 arc Seconds
Perpendicularity	< 15 arc min
Surface Quality	10/5 Scratch/Dig
Clear Apereture	>90%
Large Dimensions of Crystals	2.8-100 mm in diameter

Тэги:

субстрат laalo3

одиночные элементы кристалла

алюминат лантана

Сопутствующие продукты

Видео

Диэлектрическая постоянная 30 GGG Кристально высокая решетчатая постоянная 12.383A

Лучшая цена

Видео

Кубическая высокая решетчатая постоянная / эпитаксиальная пленка субстраты для минералогической эпитаксии граната

Лучшая цена

Подробная информация о продукции

Домой продукты

Однокристаллические субстраты

DIA 4 Inch SGGG Wafer YIG Film Substrates

Все категории

Магнитооптические кристаллы

Однокристаллические субстраты

Кристаллы пьезоэлектрического эффекта

Изолятор Фарадея

Сцинтилляционные кристаллы

Лазерные кристаллы

Выключатель Pockels Cell Q

Другие однокристаллы

TGG Кристл

Кристалл TSAG

Кристалл GGG

ЛаАЛО3 вафель

Q Кристаллы переключателя

DIA 4 Inch SGGG Wafer YIG Film Substrates

Наименование марки:	Crystro
Номер модели:	CR251027-01
МОК:	5 шт
Подробная информация об упаковке:	Прозрачная чистая коробка
Условия оплаты:	T/T, Western Union, Moneygram, PayPal

Подробная информация

Описание продукта

Подробная информация

Место происхождения:

КИТАЙ

Фирменное наименование:

Crystro

Сертификация:

SGS/ROHS/REACH

Номер модели:

CR251027-01

Материал:

SGGG

Плоскостность:

<1>

Имя:

DIA 4-дюймовые подложки для пленок SGGG Wafer YIG

Ориентация выращивания кристаллов:

(100), (111)

Максимальный размер:

4 дюйма в диаметре

Допуск диаметра:

± 0,05 мм

Допуск длины:

± 0,2 мм

Толщина:

0,63 мм, 0,5 мм, 1,4 мм

Количество мин заказа:

5 шт

Упаковывая детали:

Прозрачная чистая коробка

Время доставки:

4-5 недели

Условия оплаты:

T/T, Western Union, Moneygram, PayPal

Поставка способности:

1000 шт в месяц

Выделить:

4 inch SGGG wafer substrates

YIG film single crystal substrates

SGGG wafer YIG film substrates

Описание продукта

DIA 4 Inch SGGG Wafer YIG Film Substrates

SGGG single crystal, e.g. substituted gadolinium gallium garnet is grown by Czochralski method .

SGGG crystals with calcium, magnesium and zirconium as substituting ions, which are used as the substrates for the growth of bismuth-substituted iron garnet epitaxial films, which is good material for YIG,and BIG flim 

Our Company:

Crystro has perfect automatic production machine, the current products are mainly concentrated in the YAG, TGG, TSAG,GGG ,LGS,Ce:GAGG ,Ce:YAG and Ce: LuYAG crystals.

We also established a crystal research center and developed different kinds of crystals. Keep providing technical support and training for new applications and product development staffs.

Crystal properties
Crystal growth method	Czochralski
Crystal growth orientation	(100), (111)
Maximum size	4 inch diameter
Variations	Dopands on request
Crystallographic properties
Crystallographic structure	Cubic

	a = 12.505 Å SGGG
Mineralogical	Garnet
Twinning structure	Perfect
Colour	Colourless / Brownish SGGG
Physical properties
Density	7.09 g/cm3
Melting point	1730 °C
Hardness	7.5 (Mohs)
Dielectric constant	30
Dielectric loss tangent (10 GHz)	ca. 3.0 * 10_4
Optical properties
Transmission range	0.3 to 7.0 mm
Refraction index:	nd = 1.9708 at 577 nm

CRYSTRO supply GGG crystal with:

Orientation	<111> <100> within ±15 arc min
Wave Front Distortion	<1/4 wave@632
Diameter Tolerance	±0.05mm
Length Tolerance	±0.2mm
Chamfer	0.10mm@45º
Flatness	<1/10 wave at 633nm
Parallelism	< 30 arc Seconds
Perpendicularity	< 15 arc min
Surface Quality	10/5 Scratch/Dig
Clear Apereture	>90%
Large Dimensions of Crystals	2.8-100 mm in diameter