Подробная информация о продукции

Домой продукты

SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), профессиональный субстратный материал, специально применяемый для эпитаксиального роста тонких пленок железного граната висмута

SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), профессиональный субстратный материал, специально применяемый для эпитаксиального роста тонких пленок железного граната висмута

Наименование марки:	Crystro
Номер модели:	SCR-2026-26-02
Время доставки:	5-6НЕДЕЛЬ
Условия оплаты:	Т/Т, западное соединение, МонейГрам, ПайПал

Подробная информация

Описание продукта

Подробная информация

Место происхождения:

Китай

Материалы:

Молекулярная формула:

Замещенный Gd3GasO12

Кристаллическая структура:

Кубическая кристаллическая система

Решетка постоянн:

а=12,497 А

Методы выращивания:

Czochralski

Твердость Моха:

Плотность:

70,09 г/см3

Точка плавления:

1730°C

Коэффициент отражения:

1,954 при 1064 нм

Выделить:

Кристаллическая подложка SGGG для эпитаксиального роста

гадолиний-галлиевый гранат

легированный Ca-Mg-Zr

Описание продукта

SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), профессиональный субстратный материал, специально применяемый для эпитаксиального роста тонких пленок галлиевого граната висмута.высокая оптическая однородность и стабильная кристаллическая решетка для магнитооптических устройств.

Субстраты гадолиниевого галлиевого граната (GGG), один из самых ранних разработанных материалов для использования в качестве субстратов, не подходят из-за их чрезвычайно маленьких констант решетки.которые используют кальций, магний и цирконий в качестве ионов замещения, более подходящие в качестве субстратов для эпитаксиальных пленок висмутово-железного граната.

Наименование показателя	Размеры или другая информация	Сравнительные показатели
Размеры	Номинальный размер	3/4 дюйма
Диаметр (мм)	3 "	76.20±0.3
	4 дюйма	101.60±0.3
Толщина (m)	3 "	630±30
	4 дюйма	800±30 или по заказу
Кристаллооптика	/	(111) ± 0,1°
Постоянная решетки	/	12.497±0.003A
Положите края	Главный край позиционирования	[-110]±2°
	Подположение краев	[-1-12]±2°
Качество поверхности	Плоскость (градус)	Максимальное значение Минимальное значение в пределах 80% площади покрытия центра ≤6um
	TTV	Максимальное значение - минимальное значение в пределах 80% площади покрытия центра ≤6um
	Вывих (вывих)	В пределах 80% площади покрытия, центральная область <10/см2
		В пределах 10% площади центра, охватывающей 80% общей площади поверхности
Другие недостатки (Экструдированная поверхность)		В пределах 10% площади центра, охватывающей 80% общей площади поверхности

Ключевые особенности:

Низкая плотность ошибок.

Высокая консистенция в константах решетки.

Типичные применения:

Субстрат для больших магнитоэлектрических эпитаксиальных пленок.

Магнитное охлаждение.

Тэги:

Монокристаллическая подложка из алюмината лантана LaAlO3 для создания высокотемпературной сверхпроводимости и тонкой пленки с гигантским магнитосопротивлением

Лучшая цена

Подробная информация о продукции

Домой продукты

Однокристаллические субстраты

Все категории

SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), профессиональный субстратный материал, специально применяемый для эпитаксиального роста тонких пленок железного граната висмута

Наименование марки:	Crystro
Номер модели:	SCR-2026-26-02
Условия оплаты:	Т/Т, западное соединение, МонейГрам, ПайПал

Подробная информация

Описание продукта

Подробная информация

Место происхождения:

Китай

Фирменное наименование:

Crystro

Номер модели:

SCR-2026-26-02

Материалы:

SGGG

Молекулярная формула:

Замещенный Gd3GasO12

Кристаллическая структура:

Кубическая кристаллическая система

Решетка постоянн:

а=12,497 А

Методы выращивания:

Czochralski

Твердость Моха:

7,5

Плотность:

70,09 г/см3

Точка плавления:

1730°C

Коэффициент отражения:

1,954 при 1064 нм

Время доставки:

5-6НЕДЕЛЬ

Условия оплаты:

Т/Т, западное соединение, МонейГрам, ПайПал

Выделить:

Кристаллическая подложка SGGG для эпитаксиального роста

гадолиний-галлиевый гранат

легированный Ca-Mg-Zr

Описание продукта

Наименование показателя	Размеры или другая информация	Сравнительные показатели
Размеры	Номинальный размер	3/4 дюйма
Диаметр (мм)	3 "	76.20±0.3
	4 дюйма	101.60±0.3
Толщина (m)	3 "	630±30
	4 дюйма	800±30 или по заказу
Кристаллооптика	/	(111) ± 0,1°
Постоянная решетки	/	12.497±0.003A
Положите края	Главный край позиционирования	[-110]±2°
	Подположение краев	[-1-12]±2°
Качество поверхности	Плоскость (градус)	Максимальное значение Минимальное значение в пределах 80% площади покрытия центра ≤6um
	TTV	Максимальное значение - минимальное значение в пределах 80% площади покрытия центра ≤6um
	Вывих (вывих)	В пределах 80% площади покрытия, центральная область <10/см2
		В пределах 10% площади центра, охватывающей 80% общей площади поверхности
Другие недостатки (Экструдированная поверхность)		В пределах 10% площади центра, охватывающей 80% общей площади поверхности

Ключевые особенности:

Низкая плотность ошибок.

Высокая консистенция в константах решетки.

Типичные применения:

Субстрат для больших магнитоэлектрических эпитаксиальных пленок.

Магнитное охлаждение.

Тэги:

Монокристаллическая подложка из алюмината лантана LaAlO3 для создания высокотемпературной сверхпроводимости и тонкой пленки с гигантским магнитосопротивлением

Лучшая цена

Магнитооптические кристаллы

Однокристаллические субстраты

Кристаллы пьезоэлектрического эффекта

Изолятор Фарадея

Сцинтилляционные кристаллы

Лазерные кристаллы

Выключатель Pockels Cell Q

Другие однокристаллы

TGG Кристл

Кристалл TSAG

Кристалл GGG

ЛаАЛО3 вафель

Q Кристаллы переключателя

Магнитооптические кристаллы

Однокристаллические субстраты

Кристаллы пьезоэлектрического эффекта

Изолятор Фарадея

Сцинтилляционные кристаллы

Лазерные кристаллы

Выключатель Pockels Cell Q

Другие однокристаллы

TGG Кристл

Кристалл TSAG

Кристалл GGG

ЛаАЛО3 вафель

Q Кристаллы переключателя

Подробная информация о продукции

SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), профессиональный субстратный материал, специально применяемый для эпитаксиального роста тонких пленок железного граната висмута

Кристаллическая подложка SGGG для эпитаксиального роста

гадолиний-галлиевый гранат

легированный Ca-Mg-Zr

Подробная информация о продукции

Магнитооптические кристаллы

Однокристаллические субстраты

Кристаллы пьезоэлектрического эффекта

Изолятор Фарадея

Сцинтилляционные кристаллы

Лазерные кристаллы

Выключатель Pockels Cell Q

Другие однокристаллы

TGG Кристл

Кристалл TSAG

Кристалл GGG

ЛаАЛО3 вафель

Q Кристаллы переключателя

SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), профессиональный субстратный материал, специально применяемый для эпитаксиального роста тонких пленок железного граната висмута

Кристаллическая подложка SGGG для эпитаксиального роста

гадолиний-галлиевый гранат

легированный Ca-Mg-Zr