|
Подробная информация о продукте:
Оплата и доставка Условия:
|
| Продукт: | Высокий выход Gd3Al2Ga3O12 Efficiencyht светлого излучения: Ce (GAGG: Вафля Кристл Ce) | Химический Formular: | Gd3Al2Ga3O12 |
|---|---|---|---|
| Плотность: | 6.63г/км3 | Допуск размера: | ±0.05mm |
| Качество поверхности: | 10/5 | Ясная апертура: | >90% |
| Charmfer: | <0> | Применение: | ЛЮБИМЕЦ, SPECT, CT. |
| Высокий свет: | Кристаллы Scintilation Ce GAGG,Кристаллы Scintilation Ce Gd3Al2Ga3O12,Высокий Ce светлого излучения GAGG |
||
Высокий выход Gd3Al2Ga3O12 Efficiencyht светлого излучения: Ce (GAGG: Вафля Кристл Ce)
GAGG (Ce) (Ce: GAGG, Gd3Al2Ga3O12) новое scintillator для одиночного обнаружения электрона компьютерной томографии (SPECT), гамма-луча и compton излучения фотона. GAGG данные допинг церием имеют много свойств которые делают его соответствующим для применений спектроскопии и медицинского отображения гаммы. Высокий пик около 520 nm выхода и излучения фотона делает материальное хорошо одетое для того чтобы быть отсчетом детекторами фотоумножителя кремния.
Высокая плотность
Высокий светлый выход
Быстрое время разложения
Химически инертный
Высокая чувствительность
Разрешение высокой энергии
Главные преимущества:
Главные программы:
Основные свойства:
| Химическая формула | ₂ ₁ ₃ o Ga ₂ Al ₃ Gd |
| Атомный номер (эффективный) | 54,4 |
| Метод роста | Czochralski |
| Плотность | 6.63g/cm3 |
| Твердость Mohs | 8 |
| Точка плавления | 1850℃ |
| Coeff теплового расширения. | TBA x ⁶ 10 ‾ |
Спецификации:
| Скосите | <0> |
| Допуск ориентации | < 0=""> |
| Допуск толщины/диаметра | ±0.05 mm |
| Ясная апертура | >90% |
| Искажение Wavefront | dia 70mm |
| Качество поверхности | 10/5 (царапина/раскопки) |
| Параллельный | 10 ″ |
| Перпендикуляр | 5 ′ |
Контактное лицо: Ms. Wu
Телефон: 86-18405657612
Факс: 86-0551-63840588
